Photoluminescence and absorption linewidth of extremely flat GaAs-AlAs quantum wells prepared by molecular beam Epitaxy including interrupted deposition for atomic layer smoothing
Photoluminescence and absorption linewidth of extremely flat GaAs-AlAs quantum wells prepared by molecular beam Epitaxy including interrupted deposition for atomic layer smoothing
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分子束外延制备的极平坦 GaAs-AlAs 量子阱的光致发光和吸收线宽，包括用于原子层平滑的间断沉积
DOI：
10.1016/0039-6028(86)90386-9
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发表时间：
1986
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Furuta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaaki Tanaka;H. Sakaki;J. Yoshino;T. Furuta
