Thermal analysis of of oxide thin film transistor with fluorinated siliconnitride gate insulator
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氟化硅氮化硅栅绝缘体氧化物薄膜晶体管的热分析
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haruka Yamazaki;Yasuaki Ishikawa;Mami N. Fujii;Juan Paolo Bermundo;Eiji Takahashi;Yasuaki Andoh;and Yukiharu Uraoka
