N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用
N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用
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N极(000-1)氮化物半导体混晶InGaN晶体生长面及发光器件应用
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
花田貴，野々田亮平，窪谷茂幸，秋山英文，矢口裕之，片山竜二，松岡隆志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
正直花奈子，高宮健吾，谷川智之;花田貴，野々田亮平，窪谷茂幸，秋山英文，矢口裕之，片山竜二，松岡隆志
