Lattice Location of Implanted 147Nd and 147*Pm in GaN Using Emission Channeling
Lattice Location of Implanted 147Nd and 147*Pm in GaN Using Emission Channeling
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使用发射沟道在 GaN 中注入 147Nd 和 147*Pm 的晶格位置
DOI：
10.1002/pssc.200390086
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Correia
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Vries;U. Wahl;A. Vantomme;J. Correia
利用发射沟道技术研究了薄膜单晶六方GaN中147Nd和147*Pm的晶格位置。在 60 keV 室温下以 1 × 1013 cm-2 剂量注入并在 900 °C 退火后，使用位置敏感探测器测量了放射性同位素 147Nd 和 147*Pm 发射的 β- 粒子和转换电子的角发射产率。 [0001]、[102]、[101] 和 [113] 晶轴周围的发射图案直接证明大多数（约 70%）Nd 和 Pm 原子占据替代的 Ga 位点。
The lattice location of 147Nd and 147*Pm in thin-film, single-crystalline hexagonal GaN was studied by means of the emission channeling technique. The angular emission yields of β— particles and conversion electrons emitted by the radioactive isotopes 147Nd and 147*Pm were measured using a position-sensitive detector following 60 keV room temperature implantation at a dose of 1 × 1013 cm—2 and annealing at 900 °C. The emission patterns around the [0001], [102], [101], and [113] crystal axes give direct evidence that the majority (≈70%) of Nd and Pm atoms occupy substitutional Ga sites.