A.Takeuchi: "Azimuth Dependence of the Crystal Quality of GaN Grown on (100) GaAs by MOMBE and Its Improvement by Annealing"Institute of Physics Conference Series. Vol.155. 183-186 (1997)
A.Takeuchi: "Azimuth Dependence of the Crystal Quality of GaN Grown on (100) GaAs by MOMBE and Its Improvement by Annealing"Institute of Physics Conference Series. Vol.155. 183-186 (1997)
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A.Takeuchi：“MOMBE 在 (100) GaAs 上生长的 GaN 晶体质量的方位依赖性及其通过退火的改进”物理研究所会议系列。
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