Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind
Introducing 10-nm FinFET technology in Microwind
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Microwind 中引入 10 纳米 FinFET 技术
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Nogueira
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. C. Botigelli;N. Pieri;Brendon William Bessi;L. S. Machado;A. Bridi;A. F. de Souza;K. Recchia;P. F. Neto;P. Ross;F. Bressan;M. Nogueira
本文介绍了一种高性能的FinFET为基础的10纳米CMOS技术的教育工具Microwind的实现。还描述了与FinFET的设计和制造设计相关的新概念。环形振荡器布局和6晶体管RAM存储器布局的性能进行了分析。
This paper describes the implementation of a high performance FinFET-based 10-nm CMOS Technology in the educational tool Microwind. New concepts related to the design of FinFET and design for manufacturing are also described. The performances of a ring oscillator layout and a 6-transistor RAM memory layout are also analyzed.