第一原理計算によるSiC/SiO2ステップ界面の電子状態解析
第一原理計算によるSiC/SiO2ステップ界面の電子状態解析
复制标题
使用第一性原理计算对 SiC/SiO2 阶梯界面进行电子态分析
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小野 倫也
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
横田 知真;植本 光治;小野 倫也
