Schottky Contacts to Silicon Carbide: Physics, Technology and Applications
Schottky Contacts to Silicon Carbide: Physics, Technology and Applications
复制标题
肖特基接触碳化硅：物理、技术和应用
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Roccaforte
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Saggio;S. Rascunà;F. Giannazzo;P. Gammon;G. Brezeanu;F. Roccaforte
