A Three Terminal Approach to Spin-Torque Written MRAM Cells
A Three Terminal Approach to Spin-Torque Written MRAM Cells
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自旋转矩写入 MRAM 单元的三端方法
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Braganca
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Braganca
