Threshold voltage control with high-temperature gate-oxide annealing in ultrawide bandgap AlGaN-channel MOSHFETs
Threshold voltage control with high-temperature gate-oxide annealing in ultrawide bandgap AlGaN-channel MOSHFETs
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在超宽带隙 AlGaN 沟道 MOSHFET 中通过高温栅极氧化物退火进行阈值电压控制
DOI：
10.35848/1882-0786/ac8bc4
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发表时间：
2022
影响因子：
2.3
通讯作者：
Khan, Asif
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mollah, Shahab;Hussain, Kamal;Mamun, Abdullah;Alam, Md Didarul;Chandrashekhar, MVS;Simin, Grigory;Khan, Asif
