Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
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DOI：
10.1063/1.1614831
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发表时间：
2003-09-29
影响因子：
4
通讯作者：
Arakawa, Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Robinson, JW;Rice, JH;Arakawa, Y
我们目前的测量单InGaN量子点的光致发光衰减动力学。重组的特点是由一个单一的指数衰减，相反，在二维润湿层中看到的非指数重组动力学。在4 ~ 60 K的温度范围内，单点的寿命随温度的升高而降低。(C)2003年，美国物理学会。
We present measurements of photoluminescence decay dynamics for single InGaN quantum dots. The recombination is shown to be characterized by a single exponential decay, in contrast to the nonexponential recombination dynamics seen in the two-dimensional wetting layer. The lifetimes of single dots in the temperature range 4 to 60 K decrease with increasing temperature. (C) 2003 American Institute of Physics.