Si系半導体デバイス高性能化に向けたSi/Si-Ge 混晶ヘテロ接合形成プロセスに関する研究
Si系半導体デバイス高性能化に向けたSi/Si-Ge 混晶ヘテロ接合形成プロセスに関する研究
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提高硅基半导体器件性能的Si/Si-Ge混晶异质结形成工艺研究
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐藤茂雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李武;上野尚文;加藤永史;櫻庭政夫;秋間学尚;佐藤茂雄
