The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30–1.55 μm wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30–1.55 μm wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
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Sb在1.30~1.55 μm波长高铟含量GaInNAs/GaAs量子阱分子束外延生长中的作用
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.02.002
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发表时间：
2006
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Donghai Wu;Zhichuan Niu;Shiyong Zhang;H. Ni;Zhenhong He;Zheng Sun;Q. Han;R. Wu
DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y