Y.Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si y Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Jpn.J.Appl.Phys.28. 690-693 (1989)
Y.Koide: "Initial Stage of Growth of Ge on(100)Si y Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using GeH_4" Jpn.J.Appl.Phys.28. 690-693 (1989)
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Y.Koide：“使用 GeH_4 在 (100)Si y 气源分子束外延上生长 Ge 的初始阶段”Jpn.J.Appl.Phys.28。
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