80nm ultra-wideband erbium-doped silica fibre amplifier
80nm ultra-wideband erbium-doped silica fibre amplifier
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DOI：
10.1049/el:19971305
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发表时间：
1997-11-06
影响因子：
1.1
通讯作者：
Vengsarkar, AM
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun, Y;Sulhoff, JW;Vengsarkar, AM
作者展示了一个双波段架构的超宽带掺铒石英光纤放大器的记录光带宽为80 nm。为了获得低噪声系数和高输出功率，这两个频带共享公共的第一增益区段并且具有不同的第二增益区段。
The authors demonstrate a two band architecture for an ultra-wideband erbium-doped silica fibre amplifier with a record optical bandwidth of 80 nm. To obtain a low noise figure and high output power, the two bands share a common first gain section and have distinct second gain sections.