Loss Reduction of Si WireWaveguide on SOI Substrate Prepared by Parallel Plate RIE using Double Layered Resist Mask with C_<60>
Loss Reduction of Si WireWaveguide on SOI Substrate Prepared by Parallel Plate RIE using Double Layered Resist Mask with C_<60>
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使用具有 C_<60> 的双层光刻胶掩模通过平行板 RIE 制备的 SOI 衬底上硅线波导的损耗降低
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Inoue
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Inoue
