T.Yamanaka et al.: "Atomic Depth Distributuion Analysis of In and Ga on Si (111) during Epitaxial Growth and a New Type of Surfactant-Mediated Epitaxy" Japnese Journal of Applied Physics. 35. 3991-3998 (1996)
T.Yamanaka et al.: "Atomic Depth Distributuion Analysis of In and Ga on Si (111) during Epitaxial Growth and a New Type of Surfactant-Mediated Epitaxy" Japnese Journal of Applied Physics. 35. 3991-3998 (1996)
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T.Yamanaka 等人：“外延生长过程中 Si (111) 上 In 和 Ga 的原子深度分布分析和新型表面活性剂介导的外延”日本应用物理学杂志。
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