Crystal habit of 3C-, 4H-, 6H-SiC fine particles in liquid Si during Ostwald ripening
Crystal habit of 3C-, 4H-, 6H-SiC fine particles in liquid Si during Ostwald ripening
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奥斯特瓦尔德熟化过程中液态硅中3C-、4H-、6H-SiC细颗粒的晶习
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takeshi Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taka Narumi;Didier Chaussende;Takeshi Yoshikawa
