Large magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions with a Cu(In0.8Ga0.2)Se2 barrier with a low resistance-area product
Large magnetoresistance effect in magnetic tunnel junctions with a Cu(In0.8Ga0.2)Se2 barrier with a low resistance-area product
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具有低电阻面积积的 Cu(In0.8Ga0.2)Se2 势垒的磁隧道结中的大磁阻效应
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宝野和博
中科院分区：
文献类型：
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作者：
向山広記;増田啓介;葛西伸哉;高橋有紀子;Cheng Pohang;Ikhtiar;三浦良雄;大久保 忠勝;三谷誠司;宝野和博
