Vertical AIGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting 322nm fabricated by the laser lift-off technique
Vertical AIGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting 322nm fabricated by the laser lift-off technique
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采用激光剥离技术制造322nm垂直AIGaN深紫外发光二极管
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Aoyagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kawasaki;Y. Aoyagi
