Sapphire substrate misorientation effects on GaN nucleation layer properties
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.08.113
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发表时间：
2004-12
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Lu;D. Florescu;D. Lee;V. Merai;J. Ramer;A. Parekh;E. Armour
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Lu;D. Florescu;D. Lee;V. Merai;J. Ramer;A. Parekh;E. Armour
