在DC-PCVD阴阳极上沉积氮化硅薄膜

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发表时间:
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期刊:
功能材料
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通讯作者:
高国庆等
高国庆等
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
杨川;吴大兴;高国庆等

文献摘要

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