Thermometric quantum sensor using excited state of silicon vacancy centers in 4H-SiC devices
Thermometric quantum sensor using excited state of silicon vacancy centers in 4H-SiC devices
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利用 4H-SiC 器件中硅空位中心激发态的测温量子传感器
DOI：
10.1063/5.0027603
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Hatano Mutsuko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hoang Tuan Minh;Ishiwata Hitoshi;Masuyama Yuta;Yamazaki Yuichi;Kojima Kazutoshi;Lee Sang-Yun;Ohshima Takeshi;Iwasaki Takayuki;Hisamoto Digh;Hatano Mutsuko
