Ab initio Modeling of Resistive Random Access Memories
Ab initio Modeling of Resistive Random Access Memories
复制标题
电阻式随机存取存储器从头开始建模
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Katsumasa Kamiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Akimoto;and T. Miyaguchi;S. Kobayashi;Katsumasa Kamiya
