Thickness effects of dilute GaAs nitride quantum wells on optical spin properties of tunnel-coupled InAs quantum dots
Thickness effects of dilute GaAs nitride quantum wells on optical spin properties of tunnel-coupled InAs quantum dots
复制标题
稀GaAs氮化物量子阱厚度对隧道耦合InAs量子点光学自旋特性的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
A. Murayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Sato;M. Hosoe;S. Hiura;J. Takayama;A. Murayama
