2 層埋込酸化膜構造をもつSOI ピクセル検出器のTID 放射線耐性の評価
2 層埋込酸化膜構造をもつSOI ピクセル検出器のTID 放射線耐性の評価
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两层埋氧结构SOI像素探测器的TID抗辐射性能评估
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本多俊介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Masutomi;K. Sasaki;I. Yasuda;A. Sekine;K. Sawano;Y. Shiraki;and T. Okamoto;若林知成;本多俊介
