Effects of thermal annealing on elimination of deep defects in amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors
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DOI：
10.1016/j.tsf.2016.03.005
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发表时间：
2016-09
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya
