Y.Yasuda: "RHEED studies of initial stage of Ge film growth on(311)Si by gas source molecular beam epitaxy." J.Crystal Growth. 128. 319-326 (1993)
Y.Yasuda: "RHEED studies of initial stage of Ge film growth on(311)Si by gas source molecular beam epitaxy." J.Crystal Growth. 128. 319-326 (1993)
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Y.Yasuda：“通过气源分子束外延在 (311)Si 上生长 Ge 薄膜的初始阶段的 RHEED 研究。”
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