Fabrication and characterisation of suspended oxidised silicon nanowire channels for near zero leakage logic switches
Fabrication and characterisation of suspended oxidised silicon nanowire channels for near zero leakage logic switches
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用于近零泄漏逻辑开关的悬浮氧化硅纳米线通道的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Boodhoo L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Boodhoo L
