Multiple atomic configurations of the a edge threading dislocation in GaN
Multiple atomic configurations of the a edge threading dislocation in GaN
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GaN 中螺旋位错的多种原子构型
DOI：
10.1016/s0921-5107(00)00754-6
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发表时间：
2001
影响因子：
3.6
通讯作者：
G. Nouet
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jun Chen;P. Ruterana;G. Nouet
