数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性
数nm-CMOS素子用2次元Si層の検討（I）：フォノン閉じ込め効果の面方位/歪み依存性
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几种 nm-CMOS 器件的二维 Si 层研究（一）：声子限制效应的平面取向/应变依赖性
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Asaka;T. Hashimoto;K. Yoshida;and Y. Kanai;穴田哲夫，陳 春平，分担執筆;中原雄太，永田祐介，青木孝，鮫島俊之，水野智久
