Resistive non-volatile memory devices (Invited Paper)
Resistive non-volatile memory devices (Invited Paper)
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DOI：
10.1016/j.mee.2009.03.132
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发表时间：
2009-07
影响因子：
2.3
通讯作者：
R. Waser
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Waser
