Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS
Impact of Work Function Optimized S/D Silicide Contact for High Current Drivability CMOS
复制标题
功函数优化的 S/D 硅化物接触对高电流驱动能力 CMOS 的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Yukihisa;R. Kuroda;H. Tanaka;T. Isogai;A. Teramoto;S. Sugawa;and T. Ohmi
