低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET
低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET
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低浓度磷掺杂的掺杂原子MOSFET
DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Michiharu Tabe
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Yuuki Takasu;Daniel Moraru;Takeshi Mizuno;Michiharu Tabe