Surface Morphology of P-Type Undoped GaSb Epilayers for Thermophotovoltaic Generation of Electricity Through Evanescent Wave
Surface Morphology of P-Type Undoped GaSb Epilayers for Thermophotovoltaic Generation of Electricity Through Evanescent Wave
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用于通过倏逝波热光伏发电的 P 型未掺杂 GaSb 外延层的表面形貌
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Taniguchi;Y.;Nakano;A.;Jayavel;P.;Hanamura;K.
