"Be more positive about Ge FETs"
"Be more positive about Ge FETs"
复制标题
“对 Ge FET 更加积极”
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryan G. Banal;Masataka Imura,1;Daiju Tsuya;Hideo Iwai;and Yasuo Koide;A. Toriumi
