Spin polarization and magnetoresistance in a back-gated spin MOSFET structure with Fe/Mg/MgO/SiOx/n+-Si junctions
Spin polarization and magnetoresistance in a back-gated spin MOSFET structure with Fe/Mg/MgO/SiOx/n+-Si junctions
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具有 Fe/Mg/MgO/SiOx/n -Si 结的背栅自旋 MOSFET 结构中的自旋极化和磁阻
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shoichi Sato;Masaaki Tanaka and Ryosho Nakane
