Carrier control in Ce doped Si thin films using organic ferroelectric-gate field effect transistors
Carrier control in Ce doped Si thin films using organic ferroelectric-gate field effect transistors
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使用有机铁电栅场效应晶体管控制 Ce 掺杂 Si 薄膜中的载流子
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Atsushi. Ashida and Norifumi Fujimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hayato Nonami;Yusuke Miyata;Takeshi Yoshimura;Atsushi. Ashida and Norifumi Fujimura
