Conductive-bridge memory (CBRAM) with excellent high-temperature retention
Conductive-bridge memory (CBRAM) with excellent high-temperature retention
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DOI：
10.1109/iedm.2013.6724721
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发表时间：
2013-12
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
John R. Jameson;Philippe Blanchard;C. Cheng;John Dinh;Antonio R. Gallo;Vasudevan Gopalakrishnan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
John R. Jameson;Philippe Blanchard;C. Cheng;John Dinh;Antonio R. Gallo;Vasudevan Gopalakrishnan
高温数据保持是新兴的非易失性存储器商业化的关键障碍。对于导电桥RAM（CBRAM）[1]，我们从量子点接触的物理学角度讨论了高温保持力，并报告了一系列CBRAM单元，它们在超过200°C的温度下实现了出色的保持力。
High-temperature data retention is a critical hurdle for the commercialization of emerging nonvolatile memories. For Conductive-Bridge RAM (CBRAM) [1], we discuss high-temperature retention in terms of the physics of quantum point contacts, and we report on a family of CBRAM cells that achieve excellent retention at temperatures exceeding 200°C.