Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
Biexciton Emission from Single Is oelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
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氮原子层掺杂 GaAs 中单电子陷阱的双激子发射
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Yaguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Takamiya;T. Fukushima;S. Yagi;Y. Hijikata;T. Mochizuki;M. Yoshita;H. Akiyama;S. Kuboya;K. Onabe;R. Katayama;H. Yaguchi
