H. Sato, K. Fukatani, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu: "High quality narrow gap (〜1.52eV) a-Si : H with Improved stability fabricated by excited inert gas treatment"Technical digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineerin
H. Sato, K. Fukatani, W. Futako, T. Kamiya, C.M. Fortmann, I. Shimizu: "High quality narrow gap (〜1.52eV) a-Si : H with Improved stability fabricated by excited inert gas treatment"Technical digest of 11th International Photovoltaic Science and Engineerin
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H. Sato、K. Fukatani、W. Futako、T. Kamiya、C.M. Fortmann、I. Shimizu：“高质量窄带隙 (~1.52eV) a-Si ：通过激发惰性气体处理制备的稳定性更高的 H”技术文摘第十一届国际光伏科学与工程大会
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