Different influence of InGaN lower waveguide layer on the performance of GaN-based violet and ultraviolet laser diodes
Different influence of InGaN lower waveguide layer on the performance of GaN-based violet and ultraviolet laser diodes
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InGaN下波导层对GaN基紫光和紫外激光二极管性能的不同影响
DOI：
10.1016/j.spmi.2019.106208
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
S. T. Liu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. H. Ben;F. Liang;D. G. Zhao;D. S. Jiang;Z. S. Liu;J. J. Zhu;P. Chen;J. Yang;Y. Xing;S. T. Liu
