hfac吸着表面へのGCIB照射によるNiの原子層エッチング
hfac吸着表面へのGCIB照射によるNiの原子層エッチング
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hfac吸附表面GCIB辐照对Ni的原子层刻蚀
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
植松 功多, 豊田 紀章
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鶴岡 徹;蘇 進;辻田卓司;西谷雄;濱村朋史;稲富友;名倉健祐;寺部 一弥;植松 功多, 豊田 紀章
