Growth of Ge-rich SixGe1−x single crystal with uniform composition (x=0.02) on a compositionally graded crystal for use as GaAs solar cells
Growth of Ge-rich SixGe1−x single crystal with uniform composition (x=0.02) on a compositionally graded crystal for use as GaAs solar cells
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在成分梯度晶体上生长具有均匀成分 (x=0.02) 的富 Ge SixGe1−x 单晶，用作 GaAs 太阳能电池
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00270-5
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发表时间：
1999
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Hiyamizu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nakajima;S. Kodama;S. Miyashita;G. Sazaki;S. Hiyamizu
