On Some Properties of TlInS2 (Se2, Te2) Single Crystals
On Some Properties of TlInS2 (Se2, Te2) Single Crystals
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TlInS2(Se2,Te2)单晶的一些性质
DOI：
10.1002/pssb.19690340103
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发表时间：
1969
影响因子：
1.6
通讯作者：
M. Ismailov
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Guseinov;E. Mooser;É. Kerimova;R. S. Gamidov;I. V. Alekseev;M. Ismailov
本文介绍了生长TlInS2 （Se2, Te2）单晶的结构和物理性质的研究结果。根据x射线的研究，确定了这些晶体的四边形细胞的参数。在较宽的温度范围内测量了TlInS2（Se2, Te2）晶体的电导率和霍尔效应。结果表明，在上述化合物的最纯晶体中，迁移率遵循通常的T - 3/2定律。本文还报道了这些材料的光电和光学性质的一些数据。这些晶体在光谱的红外和可见区域显示为光导体。TlInS2、TlInSe2和TlInTe2晶体的最大光导波长分别为0.525、0.87和1.36 μm。在光电导率方面，禁隙宽度分别为2.3、1.07和0.68 eV。根据实验数据，计算了晶体的主要特性参数。
The results of studies on the structure and physical properties of grown TlInS2 (Se2, Te2) single crystals are presented. Based on an X-ray investigation the parameters of the tetragonal cells of these crystals have been determined. The electric conductivity and the Hall effect for the TlInS2(Se2, Te2) crystals have been measured over a wide temperature range. It has been revealed that in the purest crystals of the above compounds the mobility obeys the usual T−3/2 law. Some data on the photoelectric and optical properties of these materials are also reported. These crystals are shown to be photoconductors in the infrared and visible regions of the spectrum. The photoconductivity maxima for the TlInS2, TlInSe2, and TlInTe2 crystals correspond to the wavelengths of 0.525, 0.87, and 1.36 μm, respectively. In photoconductivity the respective values for the forbidden gap width are 2.3, 1.07, and 0.68 eV. From the experimental data obtained the main characteristic parameters of the crystals have been calculated.
Es werden Ergebnisse von Untersuchungen der Struktur und der physikalischen Eigenschaften von gezuchteten TlInS2(Se2, Te2)-Einkristallen mitgeteilt. Auf Grund von Rontgenstrahluntersuchungen wurden die Parameter der tetragonalen Zellen dieser Kristalle bestimmt. Die elektrische Leitfahigkeit und der Hall-Effekt wurden fur TlInS2 (Se2, Te2)-Kristalle in einem weiten Temperaturbereich gemessen. Es wurde gefunden, das in den reinsten Kristallen der obengenannten Verbindungen die Beweglichkeit das ubliche T−3/2-Gesetz befolgt. Einige Werte der photoelektrischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien werden ebenfalls mitgeteilt. Es zeigt sich, das diese Kristalle im sichtbaren und infraroten Spektralbereich Photoleiter sind. Die Photoleitfahigkeitsmaxima fur TlInS2, TlInSe2 und TlInTe2 liegen bei 0,525, 0,87 und 1,36 μm. In der Photoleitung sind die entsprechenden Werte fur die Breite der verbotenen Zone 2,3, 1,07 bzw. 0,68 eV. Aus den experimentellen Werten wurden die hauptsachlichen charakteristischen Parameter der Kristalle berechnet.