Hf-based MONOS nonvolatile memory for high-speed and low-voltage operation
Hf-based MONOS nonvolatile memory for high-speed and low-voltage operation
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基于 Hf 的 MONOS 非易失性存储器，可实现高速低电压运行
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Min Gee Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shun-ichiro Ohmi;Yusuke Horiuchi;Jooyoung Pyo;Min Gee Kim
