Crystal growth and electronic properties of germanium-tin group-IV alloy semiconductor thin films
Crystal growth and electronic properties of germanium-tin group-IV alloy semiconductor thin films
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锗锡IV族合金半导体薄膜的晶体生长及电子性能
DOI：
10.11470/oubutsu.88.9_597
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
黒澤 昌志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中塚 理;黒澤 昌志
ゲルマニウムスズ (Ge 1-x Sn x) 混晶は IV 族元素で構成されながら直接遷移型の半導体であり, 高いキャリヤ移動度, 低い結晶成長温度などの特長から, 高移動度トランジスタや赤外線受発光デバイス, 半導体レーザー, さらに次世代の多機能混載 LSI に向けた応用が期待される材料である. 共晶系で Sn の平衡固溶限界が低い Ge 1-x Sn x に要求される Sn 組成制御に向けて, その結晶物性の理解と制御に基づく結晶成長やプロセス技術の研究開発が必要不可欠である. 本稿では, Ge 1-x Sn x および関連する IV 族混晶半導体材料について, 近年の結晶成長技術の進展とそのヘテロ構造および電子物性について報告する.