Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane
Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane
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使用甲基硅烷的伯纳斯型离子源低能质量选择离子束沉积碳化硅
DOI：
10.1063/1.5116614
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
M. Kiuchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Yoshimura;S. Sugimoto;T. Takeuchi;K. Murai;M. Kiuchi
