Nanophase diagram of binary eutectic Au-Ge nanoalloys for vapor-liquid-solid semiconductor nanowires growth.
Nanophase diagram of binary eutectic Au-Ge nanoalloys for vapor-liquid-solid semiconductor nanowires growth.
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用于气-液-固半导体纳米线生长的二元共晶Au-Ge纳米合金的纳米相图
DOI：
10.1038/srep11263
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发表时间：
2015-06-08
影响因子：
4.6
通讯作者：
Meng X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu H;Meng X
虽然半导体纳米线的气-液-固生长是一个非平衡过程，但二元合金的平衡相图对合金的温度和平衡成分等生长条件具有重要的指导意义。由于合金种子和纳米线的尺寸较小，已知的大块二元合金相图不能准确地预测纳米线的生长行为。本文基于尺寸相关的内聚能模型，建立了一个统一的模型来描述Au-Ge二元共晶纳米合金的尺寸和维度相关的平衡相图。结果表明，随着尺寸和维数的减小，液线曲线减小并向左移。此外，当二元共晶合金中两组分具有相同的尺寸时，尺寸和尺寸对共晶成分的影响很小，可以忽略不计。然而，当两种组分具有不同的尺寸时（例如半导体纳米线生长中通常使用Au纳米粒子- ge纳米线），共晶成分随着尺寸的减小而减少。
Although the vapor-liquid-solid growth of semiconductor nanowire is a non-equilibrium process, the equilibrium phase diagram of binary alloy provides important guidance on the growth conditions, such as the temperature and the equilibrium composition of the alloy. Given the small dimensions of the alloy seeds and the nanowires, the known phase diagram of bulk binary alloy cannot be expected to accurately predict the behavior of the nanowire growth. Here, we developed a unified model to describe the size- and dimensionality-dependent equilibrium phase diagram of Au-Ge binary eutectic nanoalloys based on the size-dependent cohesive energy model. It is found that the liquidus curves reduce and shift leftward with decreasing size and dimensionality. Moreover, the effects of size and dimensionality on the eutectic composition are small and negligible when both components in binary eutectic alloys have the same dimensionality. However, when two components have different dimensionality (e.g. Au nanoparticle-Ge nanowire usually used in the semiconductor nanowires growth), the eutectic composition reduces with decreasing size.
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DOI：
10.1016/j.colsurfa.2005.12.015
发表时间：
2006-04-20
影响因子：
5.2
作者：
Lu, HM;Wen, Z;Jiang, Q
通讯作者：
Jiang, Q
影响因子：
3.5
作者：
Liang, LH;Liu, D;Jiang, Q
通讯作者：
Jiang, Q
影响因子：
64.8
作者：
Hochbaum, Allon I.;Chen, Renkun;Yang, Peidong
通讯作者：
Yang, Peidong
有机纳米晶的熔融热力学
影响因子：
4.4
作者：
Jiang, Q;Shi, HX;Zhao, M
通讯作者：
Zhao, M
影响因子：
4
作者：
Chen, C. L.;Lee, J. -G.;Mori, H.
通讯作者：
Mori, H.