室温接合法により形成されたLiNbO3/Si接合界面の原子スケール解析
室温接合法により形成されたLiNbO3/Si接合界面の原子スケール解析
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室温键合方法形成的LiNbO3/Si键界面的原子尺度分析
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Agulto Verdad C.;Iwamoto Toshiyuki;Kitahara Hideaki;Toya Kazuhiro;Mag-usara Valynn Katrine;Imanishi Masayuki;Mori Yusuke;Yoshimura Masashi;Nakajima Makoto;村上 誠悟, 渡辺 要, 多喜川 良
